Главная » 2014 » Февраль » 16 » Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности
12:33
Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности
Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности - В книге последовательно рассмотрены наиболее важные электронные процессы, взаимодействия и явления, происходящие в твердом теле и на границе двух тел, и их модификация при переходе к низкоразмерным системам; рассмотрены физические принципы работы наноэлектронных элементов и устройств для новых информационных систем; проанализированы наиболее перспективные направления развития наноэлектроники и ее современное состояние. Книга рассчитана на студентов старших курсов университетов, аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
Название: Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности Автор: Кравченко А. Ф., Овсюк В. Н. Издательство: Новосибирский университет Год: 2000 Страниц: 448 Формат: DJVU Размер: 5,22 МБ ISBN: 5-7615-0498-7 Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Список обозначений Введение Глава I. Кристаллические тела и их структура §1.1. Классификация твердых тел. Типы связей в кристаллах § 1.1.1. Ионная связь § 1.1.2. Ковалентная связь § 1.1.3. Металлическая связь § 1.1.4. Молекулярная связь § 1.2. Решетки Браве. Ячейки Вигнера - Зейтца § 1.3. Наиболее важные типы кристаллических структур § 1.4. Индексы Миллера § 1.5. Элементы симметрии кристалла § 1.6. Обратная решетка. Свойства обратной решетки. Зона Бриллюэна § 1.7. Дифракция рентгеновских волн на кристалле. Построение Эвальда § 1.7.1. Природа рентгеновских волн § 1.7.2. Дифракция рентгеновских волн на кристаллической решетке по Лауэ § 1.7.3. Дифракция рентгеновских волн на кристаллической решетке по Брэггу § 1.7.4. Связь дифракции рентгеновских волн с обратной решеткой § 1.7.5. Экспериментальные методы наблюдения дифракции рентгеновских волн Глава II. Энергия электрона в кристалле § 2.1. Уравнение Шрсдингера для кристалла § 2.2. Энергетический спектр электронов в кристалле с постоянным потенциалом § 2.2.1. Свободный электрон в бесконечном пространстве § 2.2.2. Модель Зоммерфсльда § 2.2.3. Двумерный потенциальный ящик § 2.3. Учет периодического потенциала кристалла § 2.4. Модель Кронига - Пенни § 2.5. Зоны Бриллюэна. Эффективная масса электрона § 2.6. Плотность состояний в энергетической зоне. Положительные дырки § 2.7. Спин-орбитальное взаимодействие § 2.8. Приближение сильной связи. Уравнение Ксйиа. Непараболичность § 2.9. Зонная структура некоторых полупроводников § 2.10. Динамические свойства электронов в кристалле Глава III. Поверхность твердого тела и контактные явления § 3.1. Работа выхода электрона из металла и полупроводника § 3.1.1. Металлы § 3.1.2. Полупроводники § 3.2. Поверхностные состояния § 3.3. Область пространственного заряда § 3.4. Поверхностная проводимость § 3.5. Поверхностная сверхрешетка § 3.6. Контакт металла с полупроводником. Модель Шоттки § 3.7. Контакт двух полупроводников с разным типом проводимости § 3.8. Полупроводниковые гетеропереходы § 3.8.1. Резкие анизотипные гетеропереходы § 3.8.2. Резкие изотипные гетеропереходы § 3.9. Варизонные полупроводники Глава IV Электрически активные центры в полупроводниках § 4.1. Дефекты решетки § 4.2. Примесные атомы § 4.3. Примесная зона § 4.4. Прыжковая проводимость слаболегированных полупроводников § 4.5. DX центры в полупроводниках типа A3B5 § 4.6. Измерения параметров электрически активных центров методом емкостной спектроскопии Глава V Электронный газ в системах пониженной размерности § 5.1. Отражение и прохождение электронов через потенциальный барьер § 5.2. Электрон в потенциальном ящике § 5.3. Электрон в потенциальной яме § 5.4. Особенности прохождения электронов над потенциальным барьером и потенциальной ямой § 5.5. Туннелирование электронов через узкую потенциальную яму, ограниченную двумя барьерами § 5.6. Плотность состояний для электронов в системах пониженной размерности § 5.6.1. Трехмерная модель § 5.6.2. Двумерная модель § 5.6.3. Одномерная модель § 5.6.4. Нульмерная модель § 5.7. Квантование энергетического спектра носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника § 5.8. Особенности квантования энергетического спектра электронов в инверсионных каналах на германии § 5.9. Двумерный электронный газ на гетеропереходе GaAs-AlxGaI-xAs § 5.10. Электрические свойства размерно-квантованных полупроводниковых пленок Глава VI Явления переноса электронов в квантованных полупроводниковых структурах § 6.1. Явления переноса в квантованном инверсионном слое области пространственного заряда § 6.2. Полупроводниковые сверхрешеточные структуры § 6.3. Электроны в сверхрешеточных структурах § 6.4. Оптические свойства сверхрешеток § 6.5. Электропроводность сверхрешеток § 6.6. От сверхрешеток к сверхатомам § 6.7. Дельта-легированные структуры - квантовый объект с несколькими заполненными мини-зонами § 6.8. Углеродные нанотрубки § 6.9. Напряженные наноструктуры Глава VII. Квантовые осцилляции в магнитном поле § 7.1. Носители заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях § 7.2. Энергетический спектр и плотность состояний электронов в магнитном поле § 7.3. Осцилляции Шубникова - де Гааза § 7.4. Эффект де Гааза - ван Альфена § 7.5. Метод спектра подвижности Глава VIII. Квантовый эффект холла § 8.1. Классический эффект Холла § 8.2. Целочисленный квантовый эффект Холла § 8.3. Дробный квантовый эффект Холла § 8.4. Энергетический спектр электронов в магнитном поле вблизи границы образца Глава IX. Краевые состояния и точечные контакты в системах с двумерным электронным газом § 9.1. Баллистический и диффузионный перенос заряда. Формула Ландауэра § 9.2. Квантование сопротивления точечного контакта § 9.3. Эффекты квантования сопротивления в туннельных контактах § 9.4. Кулоновская блокада туннелирования § 9.5. Эффект Ааронова - Бома Глава X. Мезоскопические приборы § 10.1. Изготовление мезоскопических структур § 10.1.1. Квантовые ямы и туннельные барьеры § 10.1.2. Двумерный электронный газ § 10.1.3. Электронная литография § 10.2. Квантовые интерференционные приборы § 10.3. Резонансно туннельные приборы § 10.4. Одноэлектронные приборы § 10.5. Электрооптические приборы § 10.6. Наноэлектронные диоды § 10.7. Квантовые компьютеры Литература
