Содержание:

Предисловие
Глава 1. Теоретическое предсказание и экспериментальное обнаружение добавочных световых волн в кристаллах (С. И. Пекар)
Глава 2. Некоторые современные аспекты теории горячих электронов (Ф. Т. Васько, 3. С. Грибников, И. М. Дыкман)
1. Неупругое рассеяние носителей на оптических или междолинных фононах (асимптотика функции распределения при очень малых и очень больших энергиях)
2. Электрооптика
3. Разогрев электронов лазерным излучением
4. Горячие электроны в полупроводниковой сверхрешетке
5. Разогрев с переносом электронов в реальном пространстве
Глава 3. Явления, связанные с биполярным дрейфом носителей в полупроводниках (И. И. Бойко, 3. С. Грибников)
1. Инжекция в длинных диодах и свойства инжектированной плазмы
2. Пространственно-модулированный биполярный дрейф
3. Концентрационные эффекты в полупроводниках с анизотропной проводимостью
Глава 4. Колебательные резонансы и нелинейная оптическая активность кристаллов (М. П. Лисица)
1. Комбинированный резонанс Ферми - Давыдова
2. РФ и зоны двухчастичных состояний
3. Поляритонный РФ
4. Резонансы фононных возбуждений в полупроводниках
5. Взаимодействие локальных колебаний примесных центров с двухфононными возбуждениями решетки
6. Ангармонический резонанс одно- и двухфононных возбуждений в смешанных кристаллах
7. Взаимодействие неравновесных плазмонов с фононами
8. Нелинейная оптическая активность
Глава 5. Эффект неравновесного обеднения и его релаксация при сильных электрических полях (О. В. Снитко, В. Е. Примаченко, С. И. Кириллова, В. В. Миленин)
1. Основные закономерности эффекта неравновесного обеднения
2. Релаксация эффекта неравновесного обеднения
3. Туннельно-активационный механизм релаксации неравновесного обеднения
Глава 6. Структура и динамика атомарно-чистой поверхности (Б. А. Нестеренко)
Глава 7. Релаксация внутренних напряжений в гетероэпитаксиальных системах (Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан)
Глава 8. Исследования кремния методом электронного парамагнитного резонанса (А. А. Бугай)
1. Ян-теллеровские центры
2. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов
3. Фосфор в сплаве кремний - германий
4. Носитель-примесные взаимодействия
5. Аморфный кремний
Глава 9. Неравновесные процессы в широкозонных полупроводниках (М. К. Шейнкман)
1. Комплексное исследование фотопроводимости и определение параметров рекомбинационных центров в фотопроводниках
2. Излучательная рекомбинация в полупроводниках A²B⁶
3. Механизмы безызлучательной рекомбинации
4. Поляризационные исследования сложных центров
5. Фотохимические реакции в полупроводниках A²B⁶
6. Элементарные механизмы процессов фотоутомляемости старения и деградации фоторезисторов и солнечных элементов
7. Флуктуационные явлении в полупроводниках
8. Остаточная проводимость
Глава 10. Физические свойства соединений A²B⁶ в экстремальных условиях (Е. А. Сальков)
1. Фотоэлектрические явления при низких температурах
2. Дорекомбинационный перенос носителей в сильных электрических полях
3. Неравновесные процессы при низкотемпературной пластической деформации
4. Неравновесные процессы при высоких концентрациях носителей. Лазерная технология
5. Неравновесные процессы в узкозонных полупроводниках в квантующих магнитных полях
Глава 11. Разработка и исследование фотоэлектрических полупроводниковых приборов на основе соединений A²B⁶ (В. Н. Комащенко, Г. А. Федорус, В. Д. Фурсенко, М. К. Шейнкман)
1. Фоторезисторы на основе монокристаллов CdS и CdSe
2. Детекторы электронных потоков и рентгеновского излучения на основе монокристаллов CdS
3. Фоторезисторы на основе пульверизированных спеченных слоев соединений А2В
4. Получение и исследование пленок узкозонных полупроводников Cd_xHg_1-xTe, Pb_1-xSn_xTe
5. Исследование фотовольтаического эффекта в гетеропереходах типа халькогенид меди - халькогенид кадмия
Глава 12. Поперечные фотовольтаические эффекты в полупроводниках с анизотропной электропроводностью (И. П. Жадько, В. А. Романов)
1. Поперечный эффект Дембера
2. Фотопьезоэлектрический эффект
3. Поперечный фотовольтаический эффект в многодолинных полупроводниках
4. Поперечные фотовольтаические эффекты в полупроводниках при мощном импульсном освещении
5. Поперечные фотовольтаические эффекты в анизотропных полупроводниковых структурах
Глава 13. Теоретические и экспериментальные исследования явлений переноса в многодолинных полупроводниках в экстремальных условиях (П. И. Баранский)
1. Общая классификация гальвано- и термомагнитных эффектов в анизотропных средах
2. Исследование анизотропных эффектов в д-германии
3. Магнитосопротивление в полупроводниках
4. Эффект пьезосопротивления в германии и кремнии и-типа
5. Пьезотермо-ЭДС в области увлечения электронов фононами
6. Электрофизические свойства n-GaP
Глава 14. Рентгенодифракционные исследования структурного совершенства полупроводниковых материалов (Л. И. Даценко)
Глава 15. Исследования в области химии полупроводников (И. Б. Мизецкая)
1. Физико-химический анализ сложных полупроводниковых систем
2. Получение монокристаллов соединений А2В6 и твердых растворов на их основе
3. Аналитическая химия полупроводников
Глава 16. Эффект фотографической чувствительности системы тонких слоев полупроводника и металла, или стимулированная излучением диффузия (М. Т. Костышин)
Глава 17. Полупроводники в криогенной термометрии (Л. И. Зарубин)
1. Низкотемпературная проводимость легированных полупроводников
2. Полупроводники с примесными зонами в магнитных и электрических полях
3. Технология полупроводниковых материалов для криотер- мометрии
4. Полупроводниковые криотермометры
Глава 18. Физико-технологические аспекты устройств для записи оптической информации на основе структур фотопроводник A²B⁶ - регистрирующая среда (С. В. Свечников, Э. Б. Каганович, Ю. Н. Максименко)
1. Преобразователь электрической энергии в тепловую на основе GdS Se_1-x (0 ≤ x ≤ 1) фоторезисторов
2. Структура ФП - ХЖК
3. Структура ФП-электрохромная среда
Глава 19. Поляритонные и коллективные явления на границах раздела полярных полупроводников (В. Г. Литовченко, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк)
1. Условия проявления экситонов на границах раздела диэлектрик - полупроводник, металл - полупроводник
2. Коллективные свойства экситонов границы раздела
GaAs - Si₃N₄
3. Наблюдение стимулированного излучения возбуждаемого плазменной рекомбинацией, и растекания квазидвухмерной электронно-дырочной плазмы
4. Поверхностные поляритоны на плоских границах раздела полярных полупроводников
5. Поверхностные поляритоны на профилированных поверхностях
Глава 20. Магнитоконцентрационные явления в плазме полупроводников (В. К. Малютенко)
Глава 21. Функции оптоэлектронных многополюсников в электронных цепях (П. Ф. Олексенко)
Глава 22. Состояние разработок и перспективы развития оптоэлектронных функциональных преобразователей (А. К. Смовж)
1. Распределенные фотоэлектрические структуры как основные конструктивные элементы ОЭФП
2. ОЭФП на основе частотно-зависимых свойств фотопотенциометров и функциональных фоторезисторов
Глава 23. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели (Н. А. Власенко)
1. ТПЭЛИ с ЭЛМ слоем, контактирующим с электродами
2. Механизмы возбуждения и деградации ЭЛ
3. Особенности ТПЭЛИ МДПДМ типа
Список литературы