Главная » 2018 » Май » 7 » Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
21:16
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов — В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Автор: Красников Г. Я. Издательство: Техносфера Год: 2011 Страниц: 800 Формат: PDF Размер: 24,85 МБ ISBN: 978-5-94836-289-2 Качество: Отличное Серия: Мир электроники
