Основы электроники. 5-е изд., перераб. и доп. — Описываются физические процессы в полупроводниковых и электровакуумных приборах, в интегральных микросхемах и некоторых специальных приборах современной электроники, устройство, характеристики и параметры приборов, а также некоторые особенности их применения. Четвертое издание вышло в 1985 г. Настоящее издание дополнено материалами по пьезоэлектронике, акустоэлектронике, магнитоэлектронике, квантовой электронике, криоэлектронике, хемотронике и молекулярной электронике. Сокращены главы по электронным лампам. Для инженерно-технических работников; может быть также полезной студентам вузов и техникумов, изучающим основы радиоэлектроники.
Название: Основы электроники. 5-е изд. Автор: Жеребцов И. П. Издательство: Энергоатомиздат Год: 1990 Страниц: 352 Формат: DJVU Размер: 5,61 МБ ISBN: 5-283-04448-3 Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Предисловие Введение В.1. Электроника в народном хозяйстве В.2. Краткие сведения по истории электроники В.3. Требования к электронным элементам РЭА В.4. Полупроводниковые приборы в электронике В.5. Движение электронов в однородном электрическом поле В.6. Движение электронов в неоднородном электрическом поле В.7. Движение электронов в однородном магнитном поле Раздел первый. Полупроводниковые приборы, микроэлектроника и специальные направления электроники Глава первая. Электропроводность полупроводников 1.1. Электроны в твердых телах 1.2. Собственная электронная и дырочная электропроводность. Ток дрейфа 1.3. Примесная электропроводность 1.4. Диффузия носителей заряда в полупроводниках Глава вторая. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы 2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения 2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении 2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении 2.4. Переход металл -полупроводник Глава третья. Полупроводниковые диоды 3.1. Вольт-амперная характеристика 3.2. Емкость 3.3. Температурные свойства 3.4. Рабочий режим 3.5. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока 3.6. Последовательное и параллельное соединение 3.7. Импульсный режим 3.8. Основные типы Глава четвертая. Биполярные транзисторы 4.1. Общие сведения 4.2. Физические процессы 4.3. Усиление с помощью транзистора 4.4. Основные схемы включения 4.5. Схемы питания и стабилизации режима 4.6. Транзистор в усилительных каскадах и в генераторе Глава пятая. Характеристики и параметры биполярных транзисторов 5.1. Характеристики 5.2. Параметры и эквивалентные схемы Глава шестая. Рабочий режим биполярных транзисторов 6.1. Расчет рабочего режима 6.2. Влияние температуры 6.3. Частотные свойства 6.4. Импульсный режим 6.5. Преобразование частоты полупроводниковыми приборами 6.6. Собственные шумы транзисторов и диодов 6.7. Основные типы биполярных транзисторов Глава седьмая. Полевые транзисторы 7.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом 7.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором Глава восьмая. Специальные полупроводниковые приборы 8.1. Тиристоры 8.2. Туннельные диоды 8.3. Полупроводниковые диоды для СВЧ 8.4. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна 8.5. Приборы с гетерогенными переходами 8.6. Однопереходный транзистор 8.7. Полупроводниковые резисторы 8.8. Приборы на аморфных полупроводниках 8.9. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы 8.10. Термоэлектрические полупроводниковые приборы Глава девятая. Микроэлектроника 9.1. Общие сведения 9.2. Пленочные и гибридные интегральные схемы 9.3. Полупроводниковые интегральные схемы 9.4. Интегральные схемы на приборах с зарядовой связью и с инжекционным питанием 9.5. Интегральные схемы для СВЧ 9.6. Надежность интегральных схем Глава десятая. Пьезоэлектроника и акустоэлектроника 10.1. Физические основы пьезоэлектроники 10.2. Приборы пьезоэлектроники 10.3. Физические основы акустоэлектроники 10.4. Приборы акустоэлектроники Глава одиннадцатая. Магнитоэлектроника 11.1. Гистерезисные магнитные элементы 11.2. Цилиндрические магнитные домены 11.3. Преобразователи Холла 11.4. Магниторезисторы 11.5. Магнитодиоды 11.6. Магнитотранзисторы и магнитотиристоры Глава двенадцатая. Квантовая электроника 12.1. Физические основы 12.2. Принцип работы лазера 12.3. Свойства лазерного излучения 12.4. Основные типы лазеров 12.5. Применение лазерного излучения 12.6. Мазеры 12.7. Квантовые парамагнитные СВЧ-усилители Глава тринадцатая. Оптоэлектроника 13.1. Общие сведения 13.2. Фоторезисторы 13.3. Фотодиоды 13.4. Фотоэлементы 13.5. Фототранзисторы 13.6. Фототиристоры 13.7. Светоизлучающие диоды 13.8. Оптроны Глава четырнадцатая. Криоэлектроника, хемотроника, молекулярная электроника 14.1. Криоэлектроника 14.2. Хемотроника 14.3. Молекулярная электроника Раздел второй. Электровакуумные приборы Глава пятнадцатая. Принцип устройства и работы электровакуумных приборов 15.1. Общие сведения, классификация 15.2. Устройство и работа диода 15.3. Устройство и работа триода 15.4. Электронная эмиссия 15.5. Термоэлектронные катоды 15.6. Особенности устройства электронных ламп Глава шестнадцатая. Двухэлектродные лампы 16.1. Физические процессы 16.2. Закон степени трех вторых 16.3. Анодная характеристика 16.4. Параметры 16.5. Рабочий режим. Применение диода для выпрямления переменного тока 16.6. Основные типы Глава семнадцатая. Трехэлектродные лампы 17.1. Физические процессы 17.2. Токораспределение 17.3. Действующее напряжение и закон степени трех вторых 17.4. Характеристики 17.5. Параметры Глава восемнадцатая. Рабочий режим триода 18.1. Особенности 18.2. Усилительный каскад с триодом 18.3. Параметры усилительного каскада 18.4. Аналитический расчет и эквивалентные схемы усилительного каскада 18.5. Графоаналитический расчет режима усиления 18.6. Генератор с триодом 18.7. Межэлектродные емкости 18.8. Каскады с общей сеткой и общим анодом 18.9. Недостатки триодов 18.10. Основные типы приемно-усилительных триодов Глава девятнадцатая. Многоэлектродные и специальные лампы 19.1. Устройство и работа тетрода 19.2. Устройство и работа пентода 19.3. Схемы включения тетродов и пентодов 19.4. Характеристики тетродов и пентодов 19.5. Параметры тетродов и пентодов 19.6. Межэлектродные емкости тетродов и пентодов 19.7. Устройство и работа лучевого тетрода 19.8. Характеристики и параметры лучевого тетрода 19.9. Рабочий режим тетродов и пентодов 19.10. Пентоды переменной крутизны 19.11. Краткие сведения о различных типах тетродов и пентодов 19.12. Специальные лампы Глава двадцатая. Электронно-лучевые трубки 20.1. Общие сведения 20.2. Электростатические электронно-лучевые трубки 20.3. Магнитные электронно-лучевые трубки 20.4. Люминесцентный экран 20.5. Краткие сведения о различных электронно-лучевых трубках Глава двадцать первая. Газоразрядные и индикаторные приборы 21.1. Электрический разряд в газах 21.2. Тлеющий разряд 21.3. Стабилитроны 21.4. Тиратроны тлеющего разряда 21.5. Индикаторные приборы 21.6. Дисплеи 21.7. Краткие сведения о различных газоразрядных приборах Глава двадцать вторая. Фотоэлектронные приборы 22.1. Фотоэлектронная эмиссия 22.2. Электровакуумные фотоэлементы 22.3. Фотоэлектронные умножители Глава двадцать третья. Собственные шумы электронных ламп 23.1. Причины собственных шумов 23.2. Шумовые параметры Глава двадцать четвертая. Особенности работы электронных ламп на СВЧ 24.1. Межэлектродные емкости и индуктивности выводов 24.2. Инерция электронов 24.3. Наведенные токи в цепях электродов 24.4. Входное сопротивление и потери энергии 24.5. Импульсный режим 24.6. Основные типы электронных ламп для СВЧ Глава двадцать пятая. Специальные электронные приборы для СВЧ 25.1. Общие сведения 25.2. Пролетный клистрон 25.3. Отражательный клистрон 25.4. Магнетрон 25.5. Лампы бегущей и обратной волны 25.6. Амплитрон и карматрон Глава двадцать шестая. Надежность и испытание полупроводниковых и электровакуумных приборов 26.1. Надежность и испытание полупроводниковых приборов 26.2. Надежность и испытание электровакуумных приборов Список рекомендуемой литературы
