Главная » 2011 » Ноябрь » 11 » Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
14:22
Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса "Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы". Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.
Название: Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы Автор: Колосницын B. C., Стешенко П. П., Шульгов В. В. Издательство: Амалфея Год: 2001 Страниц: 272 Формат: PDF Размер: 8,83 МБ ISBN: 985-441-210-5 Качество: Отличное
Содержание:
Предисловие Глава 1. Основы физики полупроводников 1.1. Классификация твердых тел в соответствии с зонной теорией 1.2. Электроны и дырки в кристаллической решетке полупроводника. Основные и неосновные носители 1.3. Собственные полупроводники 1.4. Примесные полупроводники 1.5. Закон распределения носителей в зонах полупроводника. Концентрация свободных носителей 1.6. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми 1.7. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках 1.8. Энергетические диаграммы на контакте металл - полупроводник 1.9. Выпрямляющие свойства контакта металл - полупроводник 1.10. Требования к невыпрямляющим контактам 1.11. Параметры невыпрямляюших контактов Глава 2. Физические основы p-n-перехода 2.1. Образование p-n-перехода 2.2. Потенциальный барьер и контактная разность потенциалов 2.3. Ширина обедненного слоя и барьерная емкость p-n-перехода 2.4. P-n-перeход при нарушении равновесия 2.5. Распределение концентрации неосновных носителей в базе 2.6. Аналитические выражения для ВАХ p-n-переходов (диодов) 2.7. Генерация и рекомбинация носителей в ОПЗ p-n -перехода 2.8. Диффузионная емкость p-n-перехода 2.9. Работа p-n-перехода при высоком уровне инжекции 2.10. Физические эквивалентные и частотные свойства p-n-перехода (диода) 2.11. Пробой p-n-перехода 2.12. Переходные процессы в p-n-переходе Глава 3. Полупроводниковые диоды 3.1. Общие сведения 3.2. Выпрямительные диоды 3.3. Импульсные диоды 3.4. Диоды СВЧ 3.5. Стабилитроны 3.6. Варикапы 3.7. Диоды Шоттки 3.8. Лавинно-пролетные диоды 3.9. Типы конструкций полупроводниковых диодов Глава 4. Биполярный транзистор 4.1. Основные определения и классификация биполярных транзисторов 4.2. Схемы включения и режимы работы БТ 4.3. Распределение потоков носителей (токов) в БТ 4.4. Усилительные свойства биполярного транзистора 4.5. Пробой БТ 4.6. Статические ВАХ биполярного транзистора 4.6.1. Схема с ОБ 4.6.2. Схема с ОЭ 4.7. Частотные свойства биполярных транзисторов 4.8. Зависимость электрических параметров транзисторов от режима работы и температуры 4.9. Типы структур биполярных транзисторов Глава 5. Полевые транзисторы 5.1. Общие сведения 5.2. Канальные транзисторы (КТ) 5.2.1. Простая теория МеП-транзистора 5.3. МОП-транзисторы 5.3.1. Идеальная МДП-структура 5.3.2. Реальная МДП-структура 5.3.3. Величина порогового напряжения и пути ее регулирования 5.3.4. Статическая выходная ВАХ МОП-транзистора с индуцированным каналом 5.3.5. Параметры МОП-транзистора 5.3.6. Частотные характеристики МОП-транзистора 5.3.7. Эффекты короткого канала 5.3.8. Пробой МОП-транзистора 5.3.9. МОП-транзистор со встроенным каналом 5.4. Статические характеристики передачи полевых транзисторов 5.5. Приборы с зарядовой связью (ПЗС) Глава 6. Оптоэлектронные и фотоэлектрические приборы 6.1. Светодиоды 6.2. Полупроводниковый лазер 6.3. Классификация фотоэлектрических приборов 6.4. Фоторезисторы 6.5. Фотодиоды 6.6. Фототранзисторы 6.7. Оптроны Глава 7. Интегральные микросхемы 7.1. Условные обозначения ИМС 7.2. Термины и определения. Классификация микросхем 7.3. Пленочные и гибридные интегральные микросхемы 7.3.1.Основные требования к подложке 7.3.2. Тонкопленочный резистор 7.3.3. Материалы, используемые для толстопленочных резисторов 7.3.4. Пленочные конденсаторы 7.3.5. Пленочные индуктивности 7.3.6. Пленочные проводники и контактные площадки (ПП и КП) 7.4. Полупроводниковые интегральные микросхемы 7.4.1. Элементы полупроводниковых ИМС 7.4.2. Подложки полупроводниковых ИМС 7.4.3. Биполярный транзистор 7.4.4. Диоды интегральных микросхем 7.4.5. Диод Шоттки 7.4.6. Транзистор Шоттки 7.4.7. Транзистор с инжекторным p-n-переходом 7.4.8. Пассивные элементы полупроводниковых ИМС 7.4.9. Резисторы полупроводниковых ИМС 7.4.10. Конденсаторы полупроводниковых ИМС 7.4.11. Изоляция элементов ИМС 7.4.12. Изоляция элементов ИМС обратносмещенным p-n-переходом 7.4.13. Изоляция обратносмещенным p-n-переходом, созданная методом разделительной диффузии 7.4.14. Коллекторная изолирующая диффузия 7.4.15. Базовая изолирующая диффузия 7.4.16. Метод трех фотошаблонов 7.4.17. Метод самоизоляции n-областью 7.4.18. Диэлектрический способ изоляции 7.4.19. Изоляция элементов ИМС тонкой пленкой диэлектрика 7.4.20. Комбинированный способ изоляции 7.4.21. Изопланар 7.4.22. V-ATE (Технология вертикального анизотропного травления) 7.4.23. Полипланар 7.4.24. Транзистор на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) 7.5. Металлизация полупроводниковых ИМС Глава 8. Корпуса интегральных микросхем Литература
