Книга посвящена разработке и анализу электронных приборов и схем, которые составляют неотъемлемую часть университетского курса физики. Освещены физические аспекты работы биполярных и полевых транзисторов, все схемы проанализированы с первооснов. Глава о производстве интегральных схем выделяет эту книгу из ряда аналогичных изданий. Простота и основательность изложения, большое количество примеров, задач и иллюстраций делают ее незаменимым пособием для студентов технических вузов.
Название: Электроника: схемы и анализ Автор: Дьюб Д. С. Издательство: Техносфера Год: 2008 Страниц: 432 Формат: DJVU Размер: 6,73 МБ ISBN: 978-5-94836-165-9 Качество: Отличное Серия или Выпуск: Мир электроники
Содержание:
Предисловие Благодарности Глава 1. Введение в полупроводники 1.1. Энергетические зоны в твердых телах 1.2. Энергетические зоны и перенос заряда в полупроводниках 1.3. Проводимость полупроводников 1.4. Металлы, диэлектрики и полупроводники 1.5. Полупроводники с другой точки зрения 1.6. Легированные полупроводники 1.7. Расчет концентрации носителей в полупроводниках 1.8. Уровень Ферми в полупроводниках 1.9. Заключение Примеры Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 2. p-n-переход 2.1. Диффузионный ток и ток дрейфа 2.2. Образование p-n-перехода 2.3. Концентрация заряда и электрическое поле в обедненной области 2.4. рnпереход с энергетической точки зрения: выражение для потенциала перехода VB 2.5. p-n-переход при приложении внешнего напряжения 2.6. Вольтамперная характеристика p-n-диода 2.7. Емкость перехода 2.8. Пробой перехода 2.9. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 3. Биполярный транзистор 3.1. Сущность биполярного транзистора 3.2. Транзистор без приложения внешних полей (не смещенный транзистор) 3.3. Смещенный транзистор 3.4. Токи транзистора с прямо смещенным эмиттерным переходом и обратносмещенным коллекторным переходом 3.5. Конфигурации схем с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) 3.6. Коэффициенты передачи по току и , их соотношение 3.7. Суммарный ток коллектора в схеме с общим эмиттером 3.8. Внутренние факторы эффективности транзистора 3.9. Статические вольтамперные характеристики 3.10. Некоторые другие полезные параметры и явления 3.11. Эквивалентная схема транзистора по переменному току 3.12. Производство транзисторов 3.13. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 4. Проектирование и анализ схем на постоянном токе 4.1. Нагрузочная линия и рабочая точка 4.2. Коэффициент стабильности 4.3. Расчет схем смещения 4.4. Смещение p-n-p-транзисторов (особенно при использовании одновременно с n-p-n-транзисторами) 4.5. Схема с общей базой 4.6. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 5. Анализ усилителей малого сигнала на биполярных транзисторах с помощью r-параметров 5.1. Основы усилителей малого сигнала 5.2. r-параметры 5.3. Анализ усилителя с общим эмиттером ОЭ 5.4. Змиттерный повторитель 5.5. Усилитель малого сигнала с общей базой (ОБ) 5.6. Важные свойства усилителей с ОЭ, ОК и ОБ 5.7. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 6. Усилители малого сигнала и z-, y- и h-параметры 6.1. Z- и Y- параметры 6.2. Задание условий холостого хода и короткого замыкания на входе и выходе транзисторной схемы 6.3. h-параметры 6.4. Гибридная модель биполярного транзистора 6.5. Анализ малосигнального усилителя при помощи h-параметров 6.6. Приблизительные соотношения для гибридной модели 6.7. h-параметры усилителей с ОК и ОБ 6.8. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 7. Обратная связь в усилителях 7.1. Введение 7.2. Основное уравнение обратной связи 7.3. Стабильность коэффициента усиления 7.4. Снижение нелинейных искажений 7.5. Расширение полосы пропускания 7.6. Разновидности схем обратной связи 7.7. Влияние отрицательной обратной связи на импедансы усилии теля 7.8. Реализация схем с обратной связью 7.9. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 8. Производство интегральных схем 8.1. Введение 8.2. Полупроводниковые материалы 8.3. Очистка материала 8.4. Планарная технология формирования ИС 8.5. Иллюстрация процесса 8.6. Формирование диодов, резисторов и конденсаторов 8.7. Основные технологические процессы 8.8. Металлизация 8.9. Эпитаксиальный слой 8.10. Испытание и монтаж в корпус 8.11. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 9. Полевые транзисторы 9.1. Полевые транзисторы с p-n-переходом 9.2. Полевые транзисторы структуры металл-окисел-полупроводник (МОП) 9.3. Симметрия МОП-транзисторов 9.4. Способы снижения порогового напряжения VT 9.5. Сравнение полевых и биполярных транзисторов 9.6. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 10. Схемы на полевых транзисторах 10.1. Смещение полевых транзисторов 10.2. Малосигнальные параметры полевых транзисторов 10.3. Анализ малосигнальной модели полевого транзистора 10.4. Полевой транзистор как источник стабильного тока 10.5. МОП-транзистор в качестве резистора 10.6. МОП-конденсатор 10.7. Схемы на полевых транзисторах с МОП-нагрузками 10.8. Схемы КМОП 10.9. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 11. Усилители мощности 11.1. Введение 11.2. Классификация усилителей мощности 11.3. Усилители класса A 11.4. Двухтактные усилители класса B 11.5. Усилители мощности на МОП-транзисторах 11. 6. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 12. Частотная характеристика, способы связи, многокаскадные усилители 12.1. Частотная характеристика 12.2. Децибелы 12.3. Разделительный конденсатор и частотная характеристика на нижних частотах 12.4. Частотная характеристика усилителя на биполярном транзисторе на низких частотах 12.5. Теорема Миллера 12.6. Частотная характеристика усилителей на биполярных транзисторах на высоких частотах 12.7. Частотная характеристика усилителей на полевых транзисторах 12.8. Многокаскадные усилители 12.9. Способы межкаскадной связи 12.10. Схема дарлингтона (составной транзистор) 12.11. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 13. Дифференциальные и операционные усилители 13.1. Дифференциальный усилитель 13.2. Дифференциальный усилитель с симметричным входом и симметричным выходом 13.3. Инвертирующий и неинвертирующий входы 13.4. Коэффициент ослабления синфазного сигнала 13.5. Дифференциальный усилитель с симметричным входом и несимметричным выходом 13.6 Дифференциальный усилитель с несимметричным входом и симметричным выходом 13.7. Дифференциальный усилитель с несимметричным входом и несимметричным выходом 13.8. Дифференциальный усилитель с компенсирующими резисторами 13.9. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах 13.10. Схемы с источниками постоянного тока 13.11. Операционный усилитель 13.12. Характеристики и параметры операционного усилителя 13.13. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Глава 14. Применение операционных усилителей 14.1. Компараторы 14.2. Усилители 14.3. Неинвертирующий усилитель с обратной связью 14.4. Инвертирующий усилитель с обратной связью 14.5. Дифференциальный усилитель 14.6. Суммирующие, масштабирующие и усредняющие усилители 14.7. Схема вычитания 14.8. Интеграторы и дифференциаторы 14.9. Активные фильтры 14.10. Заключение Дополнительная литература по теме Вопросы Задачи Физические константы
