Электроника: учебник для вузов - Учебник состоит из шести разделов и охватывает все области современной электроники - физику полупроводников и электрических переходов, физические процессы, устройство и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, фотоэлектрических, оптоэлектронных и электровакуумных приборов, а также такие актуальные вопросы, как базовые элементы аналоговых и цифровых интегральных схем, принципы и устройства квантовой электроники, наноэлектроники и функциональной электроники. Рассматриваются проблемы шумов, радиационной стойкости и надежности приборов. Все главы снабжены контрольными вопросами для повторения материала. Для подготовки бакалавров, магистров и инженеров (специалистов) широкого профиля, обучающихся по направлению 210300 - "Радиотехника".
Название: Электроника: учебник для вузов Автор: Шишкин Г. Г., Шишкин А. Г. Издательство: Дрофа Год: 2009 Страниц: 702 Формат: PDF Размер: 30,4 МБ ISBN: 978-5-358-03595-9 Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Предисловие Введение Раздел 1. Полупроводниковые приборы Глава 1. Физика полупроводников 1.1. Равновесная концентрация свободных носителей заряда 1.2. Неравновесные носители заряда 1.3. Электропроводность полупроводников 1.4. Законы движения носителей заряда в полупроводниках Глава 2. Контактные явления в полупроводниках. Электрические переходы 2.1. Основные определения. Классификация электрических переходов 2.2. Физические процессы в электронно-дырочных переходах 2.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода 2.4. Электрическая модель p-n-перехода 2.5. Переходные процессы в р-n-переходе 2.6. Контакты металл-полупроводник 2.7. Гетеропереходы Глава 3. Полупроводниковые диоды 3.1. Общие сведения и классификация диодов 3.2. Выпрямительные диоды 3.3. Импульсные диоды 3.4. Стабилитроны 3.5. Варикапы 3.6. Туннельные диоды 3.7. Лавинно-пролетные диоды 3.8. Диоды Ганна Глава 4. Биполярные транзисторы 4.1. Общие вопросы. Устройство, режимы работы транзисторов 4.2. Физические процессы в нормальном активном режиме. Коэффициенты передачи тока 4.3. Модель Эберса-Молла. Статические характеристики биполярных 4.4. Биполярный транзистор как линейный четырехполюсник. Параметры транзистора 4.5. Эквивалентные схемы 4.6. Переходные и частотные характеристики биполярного 4.7. Импульсный режим работы. Транзисторный ключ 4.8. Разновидности биполярных транзисторов Глава 5. Тиристоры 5.1. Общие сведения. Устройство. Режимы работы 5.2. Основные физические процессы. Принцип действия 5.3. Переходные процессы и импульсные свойства 5.4. Разновидности тиристоров. Параметры и модели Глава 6. Полевые транзисторы 6.1. Общие сведения 6.2. Формирование канала в МДП-транзисторах 6.3. Общие принципы управлеция проводимостью канала в полевых транзисторах. Статические вольт-амперные характеристики 6.4. Моделирование полевых транзисторов 6.5. Полевой транзистор как линейный четырехполюсник. Параметры транзисторов. Эквивалентные схемы 6.6. Частотные и импульсные свойства полевых транзисторов 6.7. Разновидности полевых транзисторов. Силовые комбинированные транзисторы Раздел 2. Интегральные схемы Глава 7. Активные и пассивные элементы интегральных схем 7.1. Общие сведения. Термины и определения 7.2. Электрическая изоляция элементов полупроводниковых ИС 7.3. Особенности биполярных транзисторов ИС 7.4. Транзисторы ИС типа р-n-р 7.5. Интегральные диоды 7.6. Полевые транзисторы ИС 7. 7. Пассивные элементы ИС Глава8. Аналоговые интегральные схемы 8.1. Общие сведения. Термины и определения 8.2. Источники стабильного тока, напряжения и опорного напряжения 8.3. Дифференциальные усилители 8.4. Операционные усилители Глава 9. Цифровые интегральные схемы 9.1. Особенности цифровых интегральных схем 9.2. Элементарные (базовые) цифровые схемы на биполярных транзисторах 9.3. Простейшие инверторные (ключевые) схемы на МДП-транзисторах 9.4. Бистабильные схемы и триггеры 9.5. Логические элементы на биполярных транзисторах 9.6. Логические элементы на полевых транзисторах 9. 7. Элементы полупроводниковых запоминающих устройств Глава 10. Наноэлектроника и функциональная электроника 10.1. Общие положения. Возможности наноэлектроники и функциональной электроники 10.2. Особенности наноэлектронных приборов 10.3. Приборы с зарядовой связью 10.4. Элементы акустоэлектроники 10.5. Элементы СБИС на цилиндрических магнитных доменах Раздел 3. Электровакуумные приборы с электростатическим и динамическим управлением Глава 11. Электровакуумные приборы с электростатическим управлением 11.1. Общие сведения 11.2. Основы эмиссионной электроники 11.3. Электронно-управляемые лампы 11.4. Мощные генераторные и модуляторные лампы 11.5. Эквивалентные схемы электронных ламп 11.6. Вакуумные интегральные схемы Глава 12. Электронно-лучевые приборы 12.1. Классификация, устройство и принцип действия электронно-лучевых приборов 12.2. Электронный прожектор с электростатической фокусировкой 12.3. Электронный прожектор с магнитной фокусировкой 12.4. Отклоняющие системы 12.5. Экраны электронно-лучевых трубок 12.6. Особенности электронно-лучевых приборов различного назначения Глава 13. Электровакуумные приборы СВЧ с динамическим управлением и продольным взаимодействием - приборы типа О 13.1. Общие сведения 13.2. Клистроны 13.3. Лампы бегущей волны. Устройство ЛБВО. Замедляющие системы 13.4. Физические процессы в ЛБВО 13.5. Параметры и характеристики ЛБВО 13.6. Лампы обратной волны типа О Глава 14. Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением и скрещенными полями - приборы типа М 14.1. Общие сведения 14.2. Магнетроны. Движение электронов в скрещенных полях 14.3. Колебательная система магнетрона 14.4. Характеристики и параметры магнетронов 14.5. Приборы магнетронного типа Раздел 4. Приборы отображения информации. Оптоэлектронные приборы Глава 15. Газоразрядные приборы и индикаторы 15.1. Общие сведения 15.2. Элементарные процессы в газовых разрядах 15.3. Приборы тлеющего разряда. Плазменные панели 15.4. Приборы дугового разряда 15.5. Электровакуумные и Электролюминесцентные индикаторы 15.6. Пассивные индикаторы. Жидкокристаллические индикаторы 15.7. Сравнение индикаторов различного типа Глава 16. Оптоэлектронные приборы 16.1. Общие сведения 16.2. Оптические явления в полупроводниках 16.3. Светодиоды 16.4. Полупроводниковые фотоприемники 16.5. Оптопары 16.6. Солнечные преобразователи 16. 7. Электровакуумные фотоприемники Раздел 5. Приборы квантовой электроники Глава 17. Основы квантового усиления 17.1. Индуцированные и спонтанные переходы 17.2. Усиление в квантовых системах 17.3. Основные элементы устройства квантовых генераторов 17.4. Условия баланса мощности и фаз в лазерах (оптических квантовых генераторах) 17.5. Спектр и характеристики излучения квантовых генераторов Глава 18. Квантовые приборы СВЧ-диапазона (мазеры) 18.1. Активное вещество твердотельных мазеров. Парамагнитные уровни энергии 18.2. Квантовые парамагнитные усилители 18.3. Охлаждение мазеров и их параметры 18.4. Квантовые генераторы СВЧ-диапазона Глава 19. Газовые лазеры 19.1. Общие сведения 19.2. Процессы создания инверсии населенностей в газовых лазерах 19.3. Атомарные газовые лазеры. Гелий-неоновый лазер 19.4. Ионные лазеры 19.5. Молекулярные газовые лазеры 19.6. Разновидности газовых лазеров Глава20. Твердотельные и жидкостные лазеры 20.1. Особенности активных сред 20.2. Системы накачки 20.3. Рубиновый лазер 20.4. Лазеры на средах, активированных неодимом 20.5. Жидкостные лазеры 20.6. Режимы работы и основные характеристики твердотельных лазеров Глава 21. Полупроводниковые инжекционные лазеры 21.1. Полупроводниковые материалы, используемые в источниках излучения 21.2. Инжекционные полупроводниковые лазеры на основе гомопереходов 21.3. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов 21.4. Разновидности полупроводниковых лазеров Раздел 6. Вопросы применения и эксплуатации электронных приборов Глава 22. Шумы электронных приборов 22.1. Общие сведения 22.2. Источники шумов 22.3. Методы описания шумов 22.4. Шумы электронных приборов различного типа Глава 23. Эксплуатационные условия работы, режимы и надежность электронных приборов 23.1. Эксплуатационные условия, параметры и режимы работы электронных приборов 23.2. Радиационная стойкость электронных приборов 23.3. Надежность электронных приборов Приложение 1. Основные параметры Si, GaAs и Ge Приложение 2. Основные уравнения, используемые для анализа работы электронных приборов Литература Список основных использованных обозначений
