В книге рассмотрены устройство и принцип действия микропроцессорных устройств релейной защиты (МУРЗ) на примерах конкретных типов современных (МУРЗ) ведущих мировых производителей. Для облегчения понимания текста энергетиками, работающими с МУРЗ, но не являющимися специалистами в области электроники, приведено подробное описание элементной базы МУРЗ, устройства и прнципов действия транзисторов, тиристоров, оптронов, реле. Рассматриваются конкретные проблемы надежности отдельных функциональных узлов МУРЗ, а также вопросы, касающиеся методики оценки надежности и эффективности МУРЗ. Подробно рассмотрены вопросы электромагнитных воздействий на МУРЗ как естественных, так и преднамеренных, кибербезопасности. Книга рассчитана на инженеров и техников, занимающихся эксплуатацией релейной защиты, а также может быть полезна конструкторам, занимающимся разработкой МУРЗ, преподователям и студентам соответствующих специальностей средних и высших учебных заведений.
Предисловие Глава I. Элементная база 1.1. Полупроводниковые материалы и приборы 1.2. Принцип действия транзистора 1.3. Некоторые другие типы транзисторов 1.4. Основные режимы работы транзисторов 1.5. Логические элементы на транзисторах 1.6. Тиристоры 1.7. Оптроны 1.8. Электромагнитные реле 1.9. Полупроводниковые управляющие устройства (драйверы) для электромеханических реле Глава II. Устройство микропроцессорных устройств релейной защиты 2.1. Общая структура и конструктивное исполнение микропроцессорных устройств релейной защиты(МУРЗ) 2.2. Модули аналоговых входов 2.3. Модули выходных реле 2.4. Модули цифровых (логических) входов 2.5. Модуль центрального процессора 2.5.1. Аналого-цифровой преобразователь (АЦП) 2.5.2. Память 2.5.3. Микропроцессор 2.6. Внутренний источник питания 2.7. Система самодиагностики МУРЗ 2.8. Новая концепция построения МУРЗ Литература к главе II Глава III. Надежность МУРЗ: проблемы и решения 3.1. Мифы о надежности МУРЗ 3.1.1. Отсутствие в МУРЗ подвижных частей 3.1.2. Сравнительная надежность электромеханических, полупроводниковых и микропроцессорных реле 3.1.3.Надежность и самодиагностика 3.1.3.1.Элементы памяти 3.1.3.2.Источник питания 3.1.3.3. Узел аналоговых входов 3.1.4. МУРЗ содержит меньшее количество элементов 3.1.5. Существование электроэнергетики сегодня невозможно без МУРЗ 3.1.6. Еще один класс проблем, о которых умалчивается 3.2 Выходные электромагнитные реле: проблемы и решения 3.3. Логические входы: проблемы и решения 3.4. Реальные данные о надежности МУРЗ 3.5. Проблемы оценки надежности МУРЗ Литература к главе III Глава IV. Проблема электромагнитных воздействий на МУРЗ 4.1. Чувствительность МУРЗ к электромагнитным воздействиям 4.2. Грозовые разряды 4.3. Коммутационные процессы и электромагнитные поля от работающего оборудования 4.4. Проблемы экранирования контрольных кабелей 4.5. Искажения сигналов в цепях трансформаторов тока 4.6. Влияние на МУРЗ гармоник в измеряемом напряжении и токе 4.7. Качество напряжения в питающей сети 4.8. Преднамеренные деструктивные электромагнитные воздействия 4.8.1. Актуализация проблемы электромагнитной совместимости для современной электроэнергетики 4.8.2. Классификация и особенности преднамеренных деструктивных электромагнитных воздействий 4.8.3. Воздействие ПДЭВ на МУРЗ 4.8.4. Возможные пути решения проблемы защиты МУРЗ от ЭМИ 4.8.5. Повышение живучести МУРЗ 4.9. Кибербезоласность Литература к главе IV
