Главная » 2010»Декабрь»5 » Схемы на четырехслойных полупроводниковых приборах. Издание второе, переработанное и дополненное
15:27
Схемы на четырехслойных полупроводниковых приборах. Издание второе, переработанное и дополненное
Рассматриваются принципы действия и характеристики полупроводниковых приборов с четырехслойной p-n-p-n структурой, показаны способы и возможности их применения в схемах различных устройств (импульсные генераторы, триггеры, переключатели, реле времени, инверторы и др.). Рассчитана на подготовленных радиолюбителей.
Название: Схемы на четырехслойных полупроводниковых приборах. Издание второе, переработанное и дополненное Автор: Кублановский Я. С. Издательство: Энергия Год: 1971 Страниц: 51 Формат: DJVU Размер: 1,32 МБ Качество: Отличное Серия или Выпуск: Массовая радиобиблиотека. Выпуск 789
Содержание:
Предисловие Устройство и принцип действия четырехслойных полупроводниковых приборов Вольт-амперные характеристики четырехслойных полупроводниковых приборов Способы отпирания и запирания динисторов и тиристоров Схемы устройств с динисторами Схемы устройств с тиристорами Приложения